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PolarHV TM HiPerFET IXFC 26N50P
Power MOSFET
ISOPLUS 220 TM
(Electrically Isolated Tab)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
trr ≤
500 V
15 A
260 m ?
250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS220 TM (IXFC)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
± 30
± 40
V
V
V
V
E153432
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
15
78
A
A
G
D
S
(Isolated Tab)
I AR
T C = 25 ° C
26
A
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
40
1.0
20
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
P D
T J
T JM
T stg
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
130
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
Features
l
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
l
Low drain to tab capacitance(<30pF)
V ISOL
50/60 Hz, RMS, t = 1, leads-to-tab
2500
V~
Applications
F C
Weight
Mounting Force
11..65/2.5..15
2
N/lb
g
l
l
l
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
l
DC choppers
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
l
AC motor control
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
500
3.0
5.5
V
V
l
l
l
Easy assembly
Space savings
High power density
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 100
nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
250
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I T
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
260
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99310E(03/06)
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